IRLR8256PBF, Транзистор, N-канал, 25В, 81А [D-PAK]
![IRLR8256PBF, Транзистор, N-канал, 25В, 81А [D-PAK]](/file/p_img/1742112.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRLR8256PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 81 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0057Ом/25А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 63 |
| Крутизна характеристики, S | 81 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
NTD20N06LT4G, MOSFET N-канал 60В 20А [D-PAK]
![NTD20N06LT4G, MOSFET N-канал 60В 20А [D-PAK]](/file/p_img/1741952.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, NTD20N06LT4G
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.048 Ом/10А, 5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 60 В, ON Semiconductor
P2804ND5G, Транзистор N+P chanel 40V; 7/5.5A ; 49/85mOm ; 3W [TO-252-5]
![P2804ND5G, Транзистор N+P chanel 40V; 7/5.5A ; 49/85mOm ; 3W [TO-252-5]](/file/p_img/1741945.jpg)
Производитель: Niko Semiconductor, P2804ND5G
| Структура | N/P-каналы |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7/5.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.028 Ом/7А, 10В/0.055 Ом/55А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Крутизна характеристики, S | 19/11 |
| Корпус | DPAK-5(4 Leads+Tab) |
RD01MUS1-501, Транзистор, 520МГц, 0.8Вт, 7.2В, 14.3dBm, [SOT-89]
![RD01MUS1-501, Транзистор, 520МГц, 0.8Вт, 7.2В, 14.3dBm, [SOT-89]](/file/p_img/1741902.jpg)
Производитель: Mitsubishi, RD01MUS1-501
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.06 |
| Корпус | SOT-89 |
RD100HHF1C-501, Транзистор RF Power MOS FET, 30 МГц, 100 Вт
Производитель: Mitsubishi, RD100HHF1C-501
ОписаниеИнтернет-магазин предлагает транзистор полевой МТТ2-80-10. Транзистор полевой МТТ2-80-10 – пол…
SI4425BDY-T1-E3, Транзистор, P-канал, -30В -8.8А [SO-8]
![SI4425BDY-T1-E3, Транзистор, P-канал, -30В -8.8А [SO-8]](/file/p_img/1741879.jpg)
Производитель: Vishay, SI4425BDY-T1-E3
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11.4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.012 Ом/11.4А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Корпус | soic-8 |
MOSFET, P REEL 2500; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -30V; Current, Id Cont: 8.8A; Resistance, Rds On: 0.012ohm;…
SPA07N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 7.3А [TO-220FP]
![SPA07N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 7.3А [TO-220FP]](/file/p_img/1741853.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, SPA07N60C3XKSA1
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 Ом/4.6А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 32 |
| Крутизна характеристики, S | 6 |
| Корпус | PG-TO220 |
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
SPA11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А[TO-220FP]
![SPA11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А[TO-220FP]](/file/p_img/1741852.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, SPA11N80C3XKSA1
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.45 Ом/7.1А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 156 |
| Крутизна характеристики, S | 7.5 |
| Корпус | PG-TO220 |
N-Ch 800V 11A 41W 0.45R TO220-Fullpak Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номиналь…
SPP11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А [TO-220AB]
![SPP11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А [TO-220AB]](/file/p_img/1741850.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, SPP11N80C3XKSA1
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.45 Ом/7.1А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 156 |
| Крутизна характеристики, S | 7.5 |
| Корпус | PG-TO220 |
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
STD10PF06T4, Транзистор, STripFET II, P-канал, -60В, 0.18Ом, -10А [D-PAK]
![STD10PF06T4, Транзистор, STripFET II, P-канал, -60В, 0.18Ом, -10А [D-PAK]](/file/p_img/1741841.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STD10PF06T4
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.2 Ом/5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |