Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.1 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	30
Крутизна характеристики, S	7
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 12 А; Rси(вкл): 0.08...0.1 Ом; @Uзатв(ном): 5...10 В; Uзатв(макс): 16 В

Сравнить

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 24 А; @Uзатв(ном): 3...8 В; Uзатв(макс): 18 В; Qзатв: 13 нКл Корпус T…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	2.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	6.5 Ом/1.05А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	70
Крутизна характеристики, S	2.3
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 900 В; Iс(25°C): 2.1 А; Rси(вкл): 5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В Корпус T…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.36 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	25
Корпус	to-220fp

N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics

Сравнить

Структура	N/P-каналы
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	7/6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.023 Ом/7a, 10В/0.035 Ом/5a, 10В
Корпус	soic-8

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.9 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	40
Крутизна характеристики, S	9.6
Корпус	to-220fp

Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.38 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	35
Крутизна характеристики, S	12
Корпус	to-220fp

STP14NK50ZFP - это N-канальный силовой МОП-транзистор SuperMESH ™ с защитой от стабилитрона, полученный в результате предельной оптимизации хоро…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.1 Ом/8a, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	45
Крутизна характеристики, S	6.5
Корпус	to-220

N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	4.5 Ом/1.25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	70
Крутизна характеристики, S	2.1
Корпус	to-220

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 2.5 А; Rси(вкл): 4.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл Корпус TO2…

Сравнить