ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SPA07N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 7.3А [TO-220FP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SPA07N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 7.3А [TO-220FP]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SPA07N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 7.3А [TO-220FP]
Последняя цена
170 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
SPA07N60C3XKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1741853
Технические параметры
Вес, г
2.7
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
7.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.6 Ом/4.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
32
Крутизна характеристики, S
6
Корпус
PG-TO220
Пороговое напряжение на затворе
5.5
Особенности
высоковольтный
Техническая документация
Datasheet SPP07N60C3, SPI07N60C3, SPA07N60C3 , pdf
, 703 КБ
Datasheet , pdf
, 621 КБ