EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

FDS4559, Транзистор N/P-CH 60V 4.5/3.5A [SO-8]
FDS4559, Транзистор N/P-CH 60V 4.5/3.5A [SO-8]
Производитель: ON Semiconductor, FDS4559
Структура N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.5/3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.055 Ом/4.5А, 10В/0.105 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 14/9
Корпус soic-8

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с двумя N / P-каналами, Fairchild Semiconductor МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптим…

FDS6679AZ, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 13А [SOIC-8-0.154"]
FDS6679AZ, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 13А [SOIC-8-0.154"]
Производитель: ON Semiconductor, FDS6679AZ
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0093 Ом/13А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 55
Корпус soic-8

MOSFET PCH 30V 13A 8SOIC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: PP; Voltage, Vds Typ: -30V; Current, Id Cont: -13A; Resistance, Rds On: 9.3m…

FDS8958A, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 30В 7/-5А [SO-8]
FDS8958A, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 30В 7/-5А [SO-8]
Производитель: ON Semiconductor, FDS8958A
Структура N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7/5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.028 Ом/7А, 10В/0.052 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 11/19
Корпус soic-8

FDS8958A_F085 - это усовершенствованный процесс PowerTrench® для MOSFET с двумя N / P-каналами. Он был специально разработан для минимизации соп…

FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8]
FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8]
Производитель: ON Semiconductor, FDS9926A
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.03 Ом/6.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 11
Корпус soic-8

Корпус SO-8

FDS9945, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 60В 3.5А [SO-8]
FDS9945, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 60В 3.5А [SO-8]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDS9945
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.1 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 8.6
Корпус soic-8

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

FDV301N, Транзистор N-CH 25V 220MA [SOT-23]
FDV301N, Транзистор N-CH 25V 220MA [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDV301N
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 4 Ом/0.4А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Крутизна характеристики, S 0.2
Корпус SOT-23-3

FDV301N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Устройство оснащено высокой плотностью эле…

FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [D-PAK]
FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [D-PAK]
Производитель: ON Semiconductor, FQD12N20LTM

FQD12N20LTM - это силовой МОП-транзистор QFET® с N-канальным режимом улучшения, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы Fa…

FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220]
FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP27P06
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 27
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.07 Ом/13.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 120
Крутизна характеристики, S 12.4
Корпус to-220

Корпус TO-220-3

FQP30N06L, Транзистор, N-канал 60В 32А [TO-220]
FQP30N06L, Транзистор, N-канал 60В 32А [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FQP30N06L
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 32
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.035 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 79
Крутизна характеристики, S 24
Корпус to-220

FQP30N06L представляет собой N-канальный режим улучшения QFET®. Мощный МОП-транзистор производится с использованием планарной полосы и технологи…

FQPF10N60C, Транзистор, N-канал 600В 9.5А [TO-220F]
FQPF10N60C, Транзистор, N-канал 600В 9.5А [TO-220F]
Производитель: ON Semiconductor, FQPF10N60C
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.73 Ом/4.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 156
Крутизна характеристики, S 8
Корпус TO-220F

МОП-транзистор 600V N-Ch Q-FET advance C-Series