STP4NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 800V 3A [TO-220FP]
![STP4NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 800V 3A [TO-220FP]](/file/p_img/1741823.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP4NK80ZFP
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5 Ом/1.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 |
| Крутизна характеристики, S | 2.9 |
| Корпус | to-220fp |
STP5NK50ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 500В, 4.4А, 1.5Ом [TO-220FP]
![STP5NK50ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 500В, 4.4А, 1.5Ом [TO-220FP]](/file/p_img/1741822.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP5NK50ZFP
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 Ом/2.2А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Крутизна характеристики, S | 3.1 |
| Корпус | to-220fp |
• 1.22R RDS (ON) • Чрезвычайно высокая способность dV / dt • Улучшенная защита от электростатических разрядов • 100% защита от ла…
STP9NK60ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 600V 7A [TO-220FP]
![STP9NK60ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 600V 7A [TO-220FP]](/file/p_img/1741820.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP9NK60ZFP
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.95 Ом/3.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Крутизна характеристики, S | 5.3 |
| Корпус | to-220fp |
N-Channel MDmesh ™ SuperMESH ™, от 250 до 650 В, STMicroelectronics
STS4DNF60L, Транзистор, STripFET, N-канал, 60В, 0.045Ом, 4A [SO-8]
![STS4DNF60L, Транзистор, STripFET, N-канал, 60В, 0.045Ом, 4A [SO-8]](/file/p_img/1741811.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STS4DNF60L
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.055 Ом/2А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 25 |
| Корпус | soic-8 |
MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 4 А; Rси(вкл): 55 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 15 нКл Корпус SO-8…
STU407DH, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, -12 А/16 А, 11 Вт, [TO-252]
![STU407DH, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, -12 А/16 А, 11 Вт, [TO-252]](/file/p_img/1741806.jpg)
Производитель: SamHop Microelectronics, STU407DH
| Структура | N/P-каналы |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16/12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.029 Ом/8А, 10В/0.047 Ом/6А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 11 |
| Крутизна характеристики, S | 15/9 |
| Корпус | DPAK-5(4 Leads+Tab) |
STW20NK50Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 500В, 0.23Ом, 20А [TO-247]
![STW20NK50Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 500В, 0.23Ом, 20А [TO-247]](/file/p_img/1741803.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STW20NK50Z
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 Ом/8.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 190 |
| Крутизна характеристики, S | 13 |
| Корпус | to-247 |
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…
SUM90N10-8M2P-E3, транзистор N-Channel 100 V 0.0082r 97 nC TO-263, D2PAK
Производитель: Vishay, SUM90N10-8M2P-E3
The SUM90N10-8M2P-E3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for power supply and primary switch applications.
FCA47N60F транзистор, N-Channel MOSFET, 47 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN
Производитель: ON Semiconductor, FCA47N60F транзистор
N-канальные полевые МОП-транзисторы SuperFET® и SuperFET® II, Fairchild Semiconductor Fairchild добавила семейство высоковол…
STW18N60DM2
Производитель: STMicroelectronics
N-канал 600V 12A (Tc) 90W (Tc) сквозное отверстие TO-247