ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SPA11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А[TO-220FP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SPA11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А[TO-220FP]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SPA11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А[TO-220FP]
Последняя цена
260 руб.
Сравнить
Описание
N-Ch 800V 11A 41W 0.45R TO220-Fullpak
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 450 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
SPA11N80C3XKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1741852
Технические параметры
Вес, г
2
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.45 Ом/7.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
156
Крутизна характеристики, S
7.5
Корпус
PG-TO220
Пороговое напряжение на затворе
2.1…3.9
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 301 КБ
Datasheet SPA11N80C3XKSA1 , pdf
, 579 КБ
SPA11N80C3 , pdf
, 909 КБ