ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RD01MUS1-501, Транзистор, 520МГц, 0.8Вт, 7.2В, 14.3dBm, [SOT-89] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Mitsubishi
RD01MUS1-501, Транзистор, 520МГц, 0.8Вт, 7.2В, 14.3dBm, [SOT-89]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
RD01MUS1-501, Транзистор, 520МГц, 0.8Вт, 7.2В, 14.3dBm, [SOT-89]
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Mitsubishi
Артикул
RD01MUS1-501
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1741902
Технические параметры
Вес, г
0.1
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
0.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
10
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.06
Корпус
SOT-89
Особенности
520мгц 1вт
Техническая документация
Mitsubishi RD01MUS1 Datasheet , pdf
, 233 КБ