FS100R12KE3BOSA1
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 10, АБМодуль IGBT NPT, одиночный, 1200 В, 140 А, 480 Вт, модуль для…
IKP08N65F5XKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АББиполярные транзисторы с изолированным затвором…
IKQ40N120CT2XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Производитель: Infineon Technologies, IKQ40N120CT2XKSA1
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT ComponentБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT…
STGF5H60DF
Производитель: ST Microelectronics
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторыБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate fiel…
STGB30H60DLLFBAG, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Производитель: ST Microelectronics, STGB30H60DLLFBAG
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT ComponentБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Autom…
FZ400R12KS4HOSA1
Производитель: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - ModulesМодуль IGBT Одиночный, 1200 В, 510 А, 2500 Вт, модуль для монтажа на шасси