SI4425BDY-T1-E3, Транзистор, P-канал, -30В -8.8А [SO-8], Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 55 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET, P REEL 2500; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -30V; Current, Id Cont: 8.8A; Resistance, Rds On: 0.012ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -3V; Case Style: SOIC; Termination Type: SMD; Charge, Gate P Channel: 64nC; Current, Idm Pulse: 50A; Pins, No. of: 8; Power, Pd: 1.5W; Quantity, Reel: 2500; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V: 0.012ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V: 0.019ohm; Transistors, No. of: 1; Voltage, Vds Max: 30V; Width, Tape: 12mm
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12 мОм

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI4425BDY-T1-E3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1741879

Технические параметры

Вес, г

0.15

Структура

p-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

11.4

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.012 Ом/11.4А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

2.5

Корпус

soic-8

Техническая документация

SI4425BDY , pdf , 47 КБ
Datasheet SI4425BDY-T1-E3 , pdf , 228 КБ
Datasheet , pdf , 160 КБ
Datasheet , pdf , 158 КБ

SI4425BDY-T1-E3, Транзистор, P-канал, -30В -8.8А [SO-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 55 руб.

Техническая документация