Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	1.4 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	52
Крутизна характеристики, S	8
Корпус	TO-220F

FQPF7N65C - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор QFET® с улучшенным режимом работы, изготовленный с использованием патентованной плана…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	240
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0026 Ом/140А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	300
Крутизна характеристики, S	110
Корпус	D2PAK-7(6 Leads+Tab)

55-вольтовые силовые MOSFET-транзисторы IRF3805S-7P и IRF1405ZS-7P предназначены для компонентов устройств автоэлектроники и способны работать в…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.3 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	82
Крутизна характеристики, S	4.9
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	4.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.026 Ом/4.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	17
Корпус	soic-8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7 А…

Сравнить

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	3.1
Корпус	soic-8

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	8.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.018 ом при 8.3a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	11
Корпус	so8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.…

Сравнить

Структура	2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	7.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0162 Ом/7.6А, 10В/0.0108 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.4
Крутизна характеристики, S	17/23
Корпус	soic-8

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	130
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.024 Ом/46А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	330
Крутизна характеристики, S	49
Корпус	TO-220AB

MOSFET, N, 200V, TO-220; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 200V; Current, Id Cont: 65A; Resistance, Rds On: 26ohm;…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	46
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.059 Ом/33А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	730
Корпус	to-247ac

Сравнить