ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RD100HHF1C-501, Транзистор RF Power MOS FET, 30 МГц, 100 Вт - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Mitsubishi
RD100HHF1C-501, Транзистор RF Power MOS FET, 30 МГц, 100 Вт
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
RD100HHF1C-501, Транзистор RF Power MOS FET, 30 МГц, 100 Вт
Последняя цена
1690 руб.
Сравнить
Описание
Описание
Интернет-магазин предлагает транзистор полевой
МТТ2-80-10
.
Транзистор полевой МТТ2-80-10 – полупроводниковый прибор, через который протекюет потоки носителей электрического заряда. Потоки регулируются поперечным электрическим полем, создаваемым при помощи напряжения, приложенного между стоком и затвором или истоком и затвором (сток и исток – внешние слои полупроводников, затвор – внутренний).
Принцип работы полевого транзистора основывается на перемещении основных носителей электрического заряда одного типа (электроны или дырки).
Информация
Производитель
Mitsubishi
Артикул
RD100HHF1C-501
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1741901
Техническая документация
RD100HHF1 , pdf
, 177 КБ