RD100HHF1C-501, Транзистор RF Power MOS FET, 30 МГц, 100 Вт - характеристики, поставщики



RD100HHF1C-501, Транзистор RF Power MOS FET, 30 МГц, 100 Вт

Последняя цена 1690 руб.
RD100HHF1C-501, Транзистор RF Power MOS FET, 30 МГц, 100 Вт

Техническая документация
  • RD100HHF1 , pdf , 177 КБ