ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
P2804ND5G, Транзистор N+P chanel 40V; 7/5.5A ; 49/85mOm ; 3W [TO-252-5] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Niko Semiconductor
P2804ND5G, Транзистор N+P chanel 40V; 7/5.5A ; 49/85mOm ; 3W [TO-252-5…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
P2804ND5G, Транзистор N+P chanel 40V; 7/5.5A ; 49/85mOm ; 3W [TO-252-5]
Последняя цена
76 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Niko Semiconductor
Артикул
P2804ND5G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1741945
Технические параметры
Вес, г
0.439
Структура
N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
7/5.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.028 Ом/7А, 10В/0.055 Ом/55А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
3
Крутизна характеристики, S
19/11
Корпус
DPAK-5(4 Leads+Tab)
Техническая документация
P2804ND5G , pdf
, 518 КБ