ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTD20N06LT4G, MOSFET N-канал 60В 20А [D-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTD20N06LT4G, MOSFET N-канал 60В 20А [D-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTD20N06LT4G, MOSFET N-канал 60В 20А [D-PAK]
Последняя цена
72 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 60 В, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTD20N06LT4G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1741952
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
15
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.048 Ом/10А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
60
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Техническая документация
NTD20N06L, NTDV20N06L Datasheet , pdf
, 123 КБ