ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SPP11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А [TO-220AB] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SPP11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А [TO-220AB]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SPP11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А [TO-220AB]
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
SPP11N80C3XKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1741850
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.45 Ом/7.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
156
Крутизна характеристики, S
7.5
Корпус
PG-TO220
Пороговое напряжение на затворе
2.1…3.9
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 139 КБ
Datasheet SPP11N80C3XKSA1 , pdf
, 489 КБ