EL

Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]
FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]
Производитель: ON Semiconductor, FGA60N65SMD
Максимальное напряжение КЭ ,В 650
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Корпус TO-3PN
Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 120
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 600
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 104
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 18

IGBT, 650V, 120A, TO-3PN Корпус TO3P

FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
Производитель: ON Semiconductor, FGA40N65SMD
Максимальное напряжение КЭ ,В 650
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Корпус TO-3PN
Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V, 40A Field Stop IGBT

FGA30S120P, Транзистор IGBT 1300V 60A 348W [TO-3P]
FGA30S120P, Транзистор IGBT 1300V 60A 348W [TO-3P]
Производитель: ON Semiconductor, FGA30S120P

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Shorted AnodeTM IGBT

FGA25N120ANTDTU_F109
FGA25N120ANTDTU_F109
Производитель: Fairchild Semiconductor

Корпус TO3P

FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN]
FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN]
Производитель: ON Semiconductor, FGA15N120ANTDTU-F109
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.4
Корпус to-3p
Технология/семейство npt trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 30
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 186
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 160
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 45
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 15

Дискретные IGBT, 1000 В и более, Fairchild Semiconductor

FF900R12IP4, IGBT модуль
FF900R12IP4, IGBT модуль
Производитель: Infineon Technologies, FF900R12IP4

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE

CM600HA-24A, 1 IGBT 1200V 600A 5-gen (A-Series), Модуль
CM600HA-24A, 1 IGBT 1200V 600A 5-gen (A-Series), Модуль
Производитель: Mitsubishi, CM600HA-24A, 1 IGBT 1200V 600A 5-gen (A-Series)

Силовые IGBT модули А-серии 5-го поколения предназначены для применения в системах электропривода, сервопривода и оборудования для электросварки. Пр…

BSM75GAL120DN2, Модуль
BSM75GAL120DN2, Модуль
Производитель: Infineon Technologies, BSM75GAL120DN2

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A CHOPPER

AUIRGP50B60PD1, Auto IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]
AUIRGP50B60PD1, Auto IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]
Производитель: Infineon Technologies, AUIRGP50B60PD1
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.85
Корпус to-247ac
Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 390
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 130
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 150
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 30

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…

APT75GP120B2G
APT75GP120B2G
Производитель: Microchip Technology

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single