Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить

FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]

Производитель: ON Semiconductor, FGL40N120ANDTU

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	3.2
Корпус	TO-264
Технология/семейство	npt
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	64
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	500
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	110
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	15

Дискретные IGBT, 1000 В и более, Fairchild Semiconductor

Сравнить

FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]

Производитель: ON Semiconductor, FGH80N60FDTU

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.4
Корпус	to-247
Технология/семейство	field stop
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	290
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	126
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	21

Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor

Сравнить

FGH75T65SHDTL4, Транзистор IGBT 650В 150В 455Вт [TO-247]

Производитель: Fairchild Semiconductor, FGH75T65SHDTL4

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 TIGBT Excellent switching performan

Сравнить

FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]

Производитель: ON Semiconductor, FGH60N60SMD

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.5
Корпус	to-247
Технология/семейство	field stop
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	120
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	600
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	104
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А	180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	18

Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor

Сравнить

FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]

Производитель: ON Semiconductor, FGH60N60SFDTU

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.9
Корпус	to-247
Технология/семейство	field stop
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	120
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	378
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	134
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	22

Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor

Сравнить

FGH40T120SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 1200В, 40А [TO-247]

Производитель: ON Semiconductor, FGH40T120SMD

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.4
Корпус	to-247
Технология/семейство	trench and fieldstop
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	555
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	475
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А	160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	40

Дискретные IGBT, 1000 В и более, Fairchild Semiconductor

Сравнить

FGH40T100SMD, Транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт, [TO-247-3]

Производитель: Fairchild Semiconductor, FGH40T100SMD

Максимальное напряжение КЭ ,В	1000
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.3
Корпус	to-247a03
Технология/семейство	trench and fieldstop
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	333
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	285
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А	120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	29

Дискретные IGBT, 1000 В и более, Fairchild Semiconductor

Сравнить

FGH30S130P, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, Shorted-anode, 1300В, 30А [TO-247]

Производитель: ON Semiconductor, FGH30S130P

Максимальное напряжение КЭ ,В	1300
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.3
Корпус	to-247
Технология/семейство	trench and fieldstop
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	500
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	620
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А	90
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	39

Дискретные IGBT, 1000 В и более, Fairchild Semiconductor

Сравнить

FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247]

Производитель: ON Semiconductor, FGH15T120SMD_F155

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.4
Корпус	to-247g03
Технология/семейство	trench and fieldstop
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	30
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	333
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	490
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А	60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	32

Сравнить

FGA6540WDF, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 650В, 40А [TO-3PN]

Производитель: ON Semiconductor, FGA6540WDF

Максимальное напряжение КЭ ,В	650
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.3
Корпус	TO-3PN
Технология/семейство	trench and fieldstop
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	238
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	54.4
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А	120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	16.8

Сравнить