FGY160T65SPD-F085
Производитель: ON Semiconductor
IGBT Trench Field Stop 650V 240A 882W Сквозное отверстие TO-247-3
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]
![GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]](/file/p_img/1746515.jpg)
Производитель: Toshiba, GT30J322(Q)
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Корпус | 2-16f1a |
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 75 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 60 |
Дискретные IGBT, Toshiba
GT60N321 Formed Leads, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]
![GT60N321 Formed Leads, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]](/file/p_img/1746514.jpg)
Производитель: Toshiba, GT60N321 Formed Leads
IKW25N120H3FKSA1 (K25H1203), Транзистор IGBT TrenchStop 1200В 25А [PG-TO247-3]
![IKW25N120H3FKSA1 (K25H1203), Транзистор IGBT TrenchStop 1200В 25А [PG-TO247-3]](/file/p_img/1746484.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IKW25N120H3FKSA1 (K25H1203)
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
| Корпус | pg-to247-3 |
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 326 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 277 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 27 |
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением колл…
IKW25N120T2FKSA1 (K25T1202), Транзистор IGBT TrenchStop 2 1200В 25А [PG-TO247-3]
![IKW25N120T2FKSA1 (K25T1202), Транзистор IGBT TrenchStop 2 1200В 25А [PG-TO247-3]](/file/p_img/1746483.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IKW25N120T2FKSA1 (K25T1202)
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.2 |
| Корпус | pg-to247-3 |
| Технология/семейство | trenchstop 2 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 349 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 265 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 27 |
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением колл…
IXYK100N120C3, Транзистор IGBT 1200В 188A 1150Вт [TO-264]
![IXYK100N120C3, Транзистор IGBT 1200В 188A 1150Вт [TO-264]](/file/p_img/1746456.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXYK100N120C3
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.5 |
| Корпус | TO-264 |
| Технология/семейство | genx3, xpt |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 188 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 1150 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 123 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 490 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 32 |
Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких…
NGTB15N60S1EG
Производитель: ON Semiconductor
IGBT Discretes, ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для приводов двигателей и других при…
PST529DMT-R, Формирователь импульса, элемент функции сброса (RESET) [MMP-3A]
![PST529DMT-R, Формирователь импульса, элемент функции сброса (RESET) [MMP-3A]](/file/p_img/1746096.jpg)