ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGA25N120ANTDTU_F109 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FGA25N120ANTDTU_F109
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGA25N120ANTDTU_F109
Последняя цена
640 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO3P
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1766202
Технические параметры
Длина
15.8 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Высота
18.9 mm
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Ширина
5 mm
Конфигурация
Single
Вес, г
7.147
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
50 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
450
Тип продукта
IGBT Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-3PN-3
Другие названия товара №
FGA25N120ANTDTU_F109
Серия
FGA25N120ANTDTU
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet FGA25N120ANTDTU-F109 , pdf
, 1374 КБ
Datasheet , pdf
, 1584 КБ
Datasheet FGA25N120ANTDTU-F109 , pdf
, 1383 КБ
