ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSM75GAL120DN2, Модуль - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSM75GAL120DN2, Модуль
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
BSM75GAL120DN2, Модуль
Последняя цена
14570 руб.
Сравнить
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A CHOPPER
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSM75GAL120DN2
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1759767
Технические параметры
Длина
94 mm
Минимальная рабочая температура
40 C
Высота
30.5 mm
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Ширина
34 mm
Конфигурация
Half Bridge
Вес, г
236.5
Pd - рассеивание мощности
625 W
Вид монтажа
Chassis Mount
Категория продукта
Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
105 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
10
Тип продукта
IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер
400 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tray
Упаковка / блок
Half Bridge GAL 1
Другие названия товара №
SP000106455 BSM75GAL120DN2HOSA1
Продукт
IGBT Silicon Modules
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet BSM75GAL120DN2 , pdf
, 75 КБ
