ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
Последняя цена
380 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V, 40A Field Stop IGBT
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FGA40N65SMD
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1766204
Технические параметры
Вес, г
6.5
Максимальное напряжение КЭ ,В
650
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.5
Корпус
TO-3PN
Технология/семейство
field stop
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
349
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
92
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А
120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
12
Техническая документация
FGA40N65SMD , pdf
, 346 КБ
Datasheet , pdf
, 1281 КБ
Datasheet FGA40N65SMD , pdf
, 1279 КБ