APT75GP120B2G, Microchip Technology - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3650 руб.

Сравнить

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single

Информация

Производитель

Microchip Technology

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1755699

Технические параметры

Длина

21.46 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Высота

5.31 mm

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

30 V

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Ширина

16.26 mm

Конфигурация

Single

Pd - рассеивание мощности

1.042 kW

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1.2 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3.3 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

100 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

100 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Microsemi

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

T-Max-3

Технология

Коммерческое обозначение

POWER MOS 7 IGBT

Непрерывный коллекторный ток

100 A

Диапазон рабочих температур

55 C to + 150 C

Техническая документация

Datasheet APT75GP120B2G , pdf , 98 КБ

APT75GP120B2G - характеристики, поставщики

Последняя цена 3650 руб.

Техническая документация