FP75R12KT3, Модуль
Производитель: Infineon Technologies, FP75R12KT3
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 105A
FP50R12KS4C, IGBT модуль
Производитель: Infineon Technologies, FP50R12KS4C
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM
FP40R12KT3G, IGBT-модуль, 1200В, 40А
Производитель: Infineon Technologies, FP40R12KT3G
Модули IGBT, Infineon Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц. БТИЗ охв…
FP40R12KE3GBOSA1, IGBT модуль 1200В 40А
Производитель: Infineon Technologies, FP40R12KE3GBOSA1
Модули IGBT, Infineon Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц. БТИЗ охв…
FP40R12KE3, IGBT-модуль, 1200В, 40А
Производитель: Infineon Technologies, FP40R12KE3
Модули IGBT, Infineon Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения для переключения частот…
FP35R12KT4B15BOSA1, Модуль IGBT 1200В 35А 210ВТ
Производитель: Infineon Technologies, FP35R12KT4B15BOSA1
Модуль IGBT Trench Field Stop Трехфазный инвертор 1200 В, 35 А, 210 Вт, модуль для монтажа на шасси
FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03]
![FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03]](/file/p_img/1766235.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FGY75N60SMD
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Корпус | to-247d03 |
| Технология/семейство | field stop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 750 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 136 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 225 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 24 |
Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor
FGPF4633, Транзистор IGBT 330В 70А 30Вт [TO-220F]
![FGPF4633, Транзистор IGBT 330В 70А 30Вт [TO-220F]](/file/p_img/1766234.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FGPF4633
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 330 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 |
| Корпус | TO-220F |
| Технология/семейство | pdp |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 30.5 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 260 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 300 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 8 |
FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220]
![FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220]](/file/p_img/1766233.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FGP15N60UNDF
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 |
| Корпус | to-220 |
| Технология/семейство | npt |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 178 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 54.8 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 45 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 9.3 |
Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor
FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]
![FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]](/file/p_img/1766232.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FGL60N100BNTD
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1000 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.9 |
| Корпус | TO-264 |
| Технология/семейство | npt trench |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 180 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 630 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 140 |
Корпус TO264