GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
![GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]](/file/p_img/1770514.jpg)
Производитель: Toshiba, GT50JR22(STA1,E,S)
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 |
| Корпус | to-3p(n) |
| Технология/семейство | gen 6.5 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 230 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 330 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 250 |
Дискретные IGBT, Toshiba
![GT50J327, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А [TO3PN]](/file/p_img/1770513.jpg)
GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]
![GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]](/file/p_img/1770512.jpg)
Производитель: Toshiba, GT50J325
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Корпус | 2-21f2c |
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 240 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]
![GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]](/file/p_img/1770511.jpg)
Производитель: Toshiba, GT40WR21,Q(O
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1800 |
| Корпус | to-3p(n) |
| Технология/семейство | gen 6.5 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 375 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 80 |
GT35J321, Транзистор IGBT, N-канал 600В 20А 75Вт, TO-3PF
Производитель: Toshiba, GT35J321
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 |
| Корпус | 2-16f1a(to-3p(n)is) |
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 37 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 75 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 510 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 330 |
GT30J322 L-forming leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]
![GT30J322 L-forming leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]](/file/p_img/1770508.jpg)
Производитель: Toshiba, GT30J322 L-forming leads
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS]
![GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS]](/file/p_img/1770507.jpg)
Производитель: Toshiba, GT30J127 Formed Leads
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Корпус | TO-220SIS |
| Технология/семейство | gen6 |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 25 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 200 |
![GT30J122A(STA1,E,D, Транзистор IGBT 600В 30А [TO-3PN]](/file/p_img/1770506.jpg)
FS150R12KE3BOSA1, 3-фазный IGBT модуль + NTC
Производитель: Infineon Technologies, FS150R12KE3BOSA1
Модули IGBT, Infineon Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц. БТИЗ охв…