FGA30S120P, Транзистор IGBT 1300V 60A 348W [TO-3P], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 420 руб.

Сравнить

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Shorted AnodeTM IGBT

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FGA30S120P

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1766203

Технические параметры

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

25 V

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Конфигурация

Single

Вес, г

6.5

Pd - рассеивание мощности

174 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1300 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.3 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

60 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

60 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

450

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

500 nA

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-3PN

Серия

FGA30S120P

Технология

Техническая документация

FGA30S120P , pdf , 363 КБ
Datasheet FGA30S120P , pdf , 358 КБ
Datasheet , pdf , 360 КБ

FGA30S120P, Транзистор IGBT 1300V 60A 348W [TO-3P] - характеристики, поставщики

Последняя цена 420 руб.

Техническая документация