EL

Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

HGTP3N60A4D, Транзистор IGBT 600В 17А 70Вт [TO-220AB]
HGTP3N60A4D, Транзистор IGBT 600В 17А 70Вт [TO-220AB]
Производитель: ON Semiconductor, HGTP3N60A4D

IRG4PC60FPBF, Транзистор: IGBT; 600В; 90А; 520Вт; TO247-3
Производитель: Infineon Technologies, IRG4PC60FPBF

ISL9V3036D3S, Транзистор IGBT 360В 21A 150Вт TO252AA
Производитель: ON Semiconductor, ISL9V3036D3S

HYG15P120A1K1, Модуль IGBT, 3 Phase Bridge, 20 A, 1200 V 22-Pin
HYG15P120A1K1, Модуль IGBT, 3 Phase Bridge, 20 A, 1200 V 22-Pin
Производитель: HY Electronic (Cayman) Limited, HYG15P120A1K1

Модули IGBT, HY Electronic Этот диапазон модулей IGBT от HY Electronic поставляется в стандартных корпусах с паяными штырями…

MG06200S-BN4MM
MG06200S-BN4MM
Производитель: Littelfuse

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A Dual

FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]
Производитель: ON Semiconductor, FGA25N120ANTDTU
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.65
Корпус to-3p
Технология/семейство npt trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 312
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 190
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 90
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 50

Дискретные IGBT, 1000 В и более, Fairchild Semiconductor

FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]
FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]
Производитель: ON Semiconductor, FGH40N60SFDTU
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9
Корпус to-247
Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 290
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 115
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 25

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), ТО-247-3, 600 В, 40 A Корпус TO-247-3

FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]
Производитель: ON Semiconductor, FGH40N60SMD
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Корпус to-247
Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12

Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor

FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247]
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247]
Производитель: ON Semiconductor, FGH40N60UFDTU
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.4
Корпус to-247
Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 290
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 112
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 24

Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor

GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]
GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]
Производитель: Toshiba, GT60N321
Максимальное напряжение КЭ ,В 1000
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.8
Корпус to3p
Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 170
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 700
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 330