FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Дискретные IGBT, 1000 В и более, Fairchild Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FGA15N120ANTDTU-F109

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1766201

Вес, г

6.5

Максимальное напряжение КЭ ,В

1200

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

2.4

Корпус

to-3p

Технология/семейство

npt trench

Наличие встроенного диода

да

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

186

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс

160

Рабочая температура (Tj), °C

-55…+150

Импульсный ток коллектора (Icm), А

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс

FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN] - характеристики, поставщики