ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FF900R12IP4, IGBT модуль - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
FF900R12IP4, IGBT модуль
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FF900R12IP4, IGBT модуль
Последняя цена
98140 руб.
Сравнить
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
FF900R12IP4
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1766164
Технические параметры
Длина
172 mm
Минимальная рабочая температура
40 C
Высота
38 mm
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Ширина
89 mm
Конфигурация
Dual
Вес, г
825
Pd - рассеивание мощности
5.1 kW
Вид монтажа
Chassis Mount
Категория продукта
Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
900 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
3
Тип продукта
IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер
400 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tray
Упаковка / блок
PRIME2
Другие названия товара №
SP000609750 FF900R12IP4BOSA2
Продукт
IGBT Silicon Modules
Серия
Trenchstop IGBT4 - P4
Технология
Si
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP PrimePACK
Техническая документация
Datasheet FF900R12IP4 , pdf
, 1672 КБ