EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

IRF8010PBF, Транзистор, N-канал 100В 80А [TO-220AB]
IRF8010PBF, Транзистор, N-канал 100В 80А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRF8010PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.015 Ом/45А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 260
Корпус TO-220AB

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми тр…

IRF7907TRPBF, 2Nкан 30В 11А, [SO-8]
IRF7907TRPBF, 2Nкан 30В 11А, [SO-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7907TRPBF
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0164 Ом/9.1А, 10В/0.0118 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 19/24
Корпус soic-8

IRF7905TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 7.8А [SOIC-8]
IRF7905TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 7.8А [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7905TRPBF

IRF7905PBF, Транзистор, 2N-канала 30В 7.8А [SO-8]
IRF7905PBF, Транзистор, 2N-канала 30В 7.8А [SO-8]
Производитель: International Rectifier, IRF7905PBF
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0218 Ом/7.8А, 10В/0.0171 Ом/8.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 15
Корпус soic-8

IRF7904TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 7.6А [SOIC-8]
IRF7904TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 7.6А [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7904TRPBF

IRF7862TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 21А [SOIC-8]
IRF7862TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 21А [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7862TRPBF

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми тра…

IRF7855PBF, Транзистор, Nкан 60В 160А SO8 (IRF7478)
IRF7855PBF, Транзистор, Nкан 60В 160А SO8 (IRF7478)
Производитель: International Rectifier, IRF7855PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0094 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 14
Корпус soic-8

IRF7854TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 10А [SOIC-8]
IRF7854TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 10А [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7854TRPBF

IRF7853TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 8.3А [SO-8]
IRF7853TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 8.3А [SO-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7853TRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.018 Ом/8.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 11
Корпус soic-8

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми тр…

IRF7842TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8]
IRF7842TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF7842TRPBF

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18…