Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

IRF9358TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8]
IRF9358TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF9358TRPBF

IRF9358TRPBF - это двухканальный полевой МОП-транзистор с P-каналом, предназначенный для переключения заряда и разряда аккумуляторов ноутбуков.…

IRF9358PBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8]
IRF9358PBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8]
Производитель: International Rectifier, IRF9358PBF
Структура 2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0163 Ом/9.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 23
Корпус soic-8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…

IRF9335TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 5.4А [SO-8]
IRF9335TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 5.4А [SO-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF9335TRPBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.059 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 5.4
Корпус soic-8

Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза б…

IRF9333PBF, Транзистор Pкан -30В -9.2А, [SO-8]
IRF9333PBF, Транзистор Pкан -30В -9.2А, [SO-8]
Производитель: International Rectifier, IRF9333PBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 32.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 13
Корпус soic-8

Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза б…

IRF9332TRPBF,Pкан -30В -9.8А SO8
IRF9332TRPBF,Pкан -30В -9.8А SO8
Производитель: Infineon Technologies

• Оптимизирован для широчайшей доступности от партнеров-дистрибьюторов • Супер логический уровень • Снижение сложности конструкции по…

IRF9332PBF, Pкан -30В -9.8А SO8
IRF9332PBF, Pкан -30В -9.8А SO8
Производитель: International Rectifier, IRF9332PBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0175 Ом/9.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 36
Корпус soic-8

IRF9328PBF, Транзистор, P-канал 30В 12А [SO-8]
IRF9328PBF, Транзистор, P-канал 30В 12А [SO-8]
Производитель: International Rectifier, IRF9328PBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0119 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 20
Корпус soic-8

IRF9321PBF, Транзистор, P-канал 30В 15А, [SO-8]
IRF9321PBF, Транзистор, P-канал 30В 15А, [SO-8]
Производитель: International Rectifier, IRF9321PBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 15
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0072 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 30
Корпус soic-8

Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза б…

IRF9317TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 16А, [SO-8] (=IRF9317PBF)
IRF9317TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 16А, [SO-8] (=IRF9317PBF)
Производитель: International Rectifier, IRF9317TRPBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0066 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Корпус soic-8

MOSFET, P-CH, -30V, -16A, SOIC-8 Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 2…

IRF9310TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 20А [SO-8]
IRF9310TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 20А [SO-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF9310TRPBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0046 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 39
Корпус soic-8

P CHANNEL, MOSFET, -30V, -20A, SOIC; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -20A Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P…