IRF9358TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8]
![IRF9358TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8]](/file/p_img/1772847.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF9358TRPBF
IRF9358TRPBF - это двухканальный полевой МОП-транзистор с P-каналом, предназначенный для переключения заряда и разряда аккумуляторов ноутбуков.…
IRF9358PBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8]
![IRF9358PBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8]](/file/p_img/1772846.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF9358PBF
Структура | 2p-канала |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.2 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0163 Ом/9.2А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
Крутизна характеристики, S | 23 |
Корпус | soic-8 |
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…
IRF9335TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 5.4А [SO-8]
![IRF9335TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 5.4А [SO-8]](/file/p_img/1772845.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF9335TRPBF
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.4 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.059 Ом/5.4А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
Крутизна характеристики, S | 5.4 |
Корпус | soic-8 |
Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза б…
IRF9333PBF, Транзистор Pкан -30В -9.2А, [SO-8]
![IRF9333PBF, Транзистор Pкан -30В -9.2А, [SO-8]](/file/p_img/1772844.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF9333PBF
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.2 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 32.5 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
Крутизна характеристики, S | 13 |
Корпус | soic-8 |
Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза б…
IRF9332TRPBF,Pкан -30В -9.8А SO8

Производитель: Infineon Technologies
• Оптимизирован для широчайшей доступности от партнеров-дистрибьюторов • Супер логический уровень • Снижение сложности конструкции по…
IRF9332PBF, Pкан -30В -9.8А SO8

Производитель: International Rectifier, IRF9332PBF
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.8 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0175 Ом/9.8А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
Крутизна характеристики, S | 36 |
Корпус | soic-8 |
IRF9328PBF, Транзистор, P-канал 30В 12А [SO-8]
![IRF9328PBF, Транзистор, P-канал 30В 12А [SO-8]](/file/p_img/1772841.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF9328PBF
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0119 Ом/12А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
Крутизна характеристики, S | 20 |
Корпус | soic-8 |
IRF9321PBF, Транзистор, P-канал 30В 15А, [SO-8]
![IRF9321PBF, Транзистор, P-канал 30В 15А, [SO-8]](/file/p_img/1772840.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF9321PBF
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0072 Ом/15А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
Крутизна характеристики, S | 30 |
Корпус | soic-8 |
Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза б…
IRF9317TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 16А, [SO-8] (=IRF9317PBF)
![IRF9317TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 16А, [SO-8] (=IRF9317PBF)](/file/p_img/1772839.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF9317TRPBF
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0066 Ом/16А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
Корпус | soic-8 |
MOSFET, P-CH, -30V, -16A, SOIC-8 Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 2…
IRF9310TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 20А [SO-8]
![IRF9310TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 20А [SO-8]](/file/p_img/1772838.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF9310TRPBF
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0046 Ом/20А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
Крутизна характеристики, S | 39 |
Корпус | soic-8 |
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -20A, SOIC; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -20A Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P…