IRF7862TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 21А [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 98 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7862TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772812

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

21 A

Ширина

4мм

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

4,5 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип канала

Прямое напряжение диода

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Длина

5мм

Тип корпуса

SOIC

Maximum Gate Threshold Voltage

2.35V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35V

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 4,5 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

2,5 Вт

Height

1.5мм

Channel Mode

Поднятие

Техническая документация

irf7862pbf , pdf , 252 КБ
Datasheet IRF7862TRPBF , pdf , 251 КБ

IRF7862TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 21А [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 98 руб.

Техническая документация