IRF9310PBF, Транзистор, P-канал 30В 20А [SO-8]
![IRF9310PBF, Транзистор, P-канал 30В 20А [SO-8]](/file/p_img/1772837.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF9310PBF
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0046 Ом/20А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 39 |
| Корпус | soic-8 |
Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза б…
IRF8788TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 24А [SOIC-8]
![IRF8788TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 24А [SOIC-8]](/file/p_img/1772836.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF8788TRPBF
N-Ch 30V 24A 2.5W 0.0028R SO8 Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C…
IRF8736TRPBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]
![IRF8736TRPBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]](/file/p_img/1772835.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF8736TRPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0048 Ом/18А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 52 |
| Корпус | soic-8 |
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18…
IRF8736PBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]
![IRF8736PBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]](/file/p_img/1772834.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF8736PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0048 Ом/18А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 52 |
| Корпус | soic-8 |
• Очень низкое RDS (ВКЛ.) при 4,5 В VGS • Низкий заряд затвора • Полностью охарактеризованные лавинное напряжение и ток • 100% пр…
IRF8734PBF, Nкан 30В 21А SO8, транзистор
Производитель: International Rectifier, IRF8734PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0035 Ом/21А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 85 |
| Корпус | soic-8 |
IRF8721TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 14А [SOIC-8]
![IRF8721TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 14А [SOIC-8]](/file/p_img/1772832.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF8721TRPBF
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми тра…
IRF8721PBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8]
![IRF8721PBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8]](/file/p_img/1772831.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF8721PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0085 Ом/14А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 27 |
| Корпус | soic-8 |
IRF8714TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8]
![IRF8714TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8]](/file/p_img/1772830.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF8714TRPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0087 Ом/14А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 71 |
| Корпус | soic-8 |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номина…
IRF8707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 11А [SO-8] (=IRF8707PBF)
![IRF8707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 11А [SO-8] (=IRF8707PBF)](/file/p_img/1772829.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF8707TRPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0119 Ом/11А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 25 |
| Корпус | soic-8 |
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми тра…
IRF8513PBF, Транзистор, 2N-канала 30В 11А, (IRF7902), [SO-8]
![IRF8513PBF, Транзистор, 2N-канала 30В 11А, (IRF7902), [SO-8]](/file/p_img/1772828.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF8513PBF
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0155 Ом/8А, 10В/0.00127Ом/11А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.4 |
| Крутизна характеристики, S | 19/24 |
| Корпус | soic-8 |