IRF840LCPBF, Транзистор MOSFET N-канал 500В 8А [TO-220AB]
![IRF840LCPBF, Транзистор MOSFET N-канал 500В 8А [TO-220AB]](/file/p_img/1772827.jpg)
Производитель: Vishay, IRF840LCPBF
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
IRF840ASPBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [D2-Pak]
![IRF840ASPBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [D2-Pak]](/file/p_img/1772826.jpg)
Производитель: Vishay, IRF840ASPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.85 Ом/4.8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 4 |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) |
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
IRF840APBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [TO-220AB]
![IRF840APBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [TO-220AB]](/file/p_img/1772825.jpg)
Производитель: Vishay, IRF840APBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.85 Ом/4.8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 4.9 |
| Корпус | TO-220AB |
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [TO-220AB]
![IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [TO-220AB]](/file/p_img/1772824.jpg)
Производитель: Vishay, IRF840PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.85 Ом/4.8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 4.9 |
| Корпус | TO-220AB |
IRF840PBF является N-канальным HEXFET® силовым МОП-транзистором 400В третьего поколения, который обеспечивает разработчика лучшим сочетанием быст…
IRF8313PBF, Транзистор, 2N-канала 30В 9.7А [SO-8]
![IRF8313PBF, Транзистор, 2N-канала 30В 9.7А [SO-8]](/file/p_img/1772823.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF8313PBF
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0155 Ом/9.7А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 23 |
| Корпус | soic-8 |
IRF830APBF, Транзистор, N-канал 500В 5A [TO-220AB]
![IRF830APBF, Транзистор, N-канал 500В 5A [TO-220AB]](/file/p_img/1772822.jpg)
Производитель: Vishay, IRF830APBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.4 Ом/3А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 74 |
| Крутизна характеристики, S | 2.8 |
| Корпус | TO-220AB |
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
IRF830PBF, Транзистор, N-канал 500В 4.5А [TO-220AB]
![IRF830PBF, Транзистор, N-канал 500В 4.5А [TO-220AB]](/file/p_img/1772821.jpg)
Производитель: Vishay, IRF830PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 Ом/2.7А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 74 |
| Крутизна характеристики, S | 2.5 |
| Корпус | TO-220AB |
IRF830PBF представляет собой N-канальный полевой МОП-транзистор с импульсным питанием 500 В с низким зарядом затвора Qg, что требует простого пр…
IRF8252PBF, Nкан 25В 25А SO8
Производитель: International Rectifier, IRF8252PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0027Ом/25А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 89 |
| Корпус | soic-8 |
IRF820PBF, Транзистор, N-канал 500В 2.5А [TO-220AB]
![IRF820PBF, Транзистор, N-канал 500В 2.5А [TO-220AB]](/file/p_img/1772819.jpg)
Производитель: Vishay, IRF820PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 Ом/1.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Крутизна характеристики, S | 1.5 |
| Корпус | TO-220AB |
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
IRF8010STRLPBF, Nкан 100В 80А D2Pak
Производитель: Infineon Technologies, IRF8010STRLPBF
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми тр…