IRF7905TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 7.8А [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 47 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7905TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772815

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

7,8 А, 8,9 А

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

21,3 мОм, 29,3 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

Длина

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

6,9 нс, 8,1 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Типичное время задержки включения

5,2 нс, 6,2 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

2.25V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

4,6 нКл при 4,5 В, 6,9 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

600 пФ при 15 В, 910 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямая активная межэлектродная проводимость

15с

Техническая документация

irf7905pbf , pdf , 325 КБ
Datasheet IRF7905TRPBF , pdf , 324 КБ

IRF7905TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 7.8А [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 47 руб.

Техническая документация