IRF7842TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 99 руб.

Сравнить

Описание

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7842TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772808

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

18 А

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

5.9 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

-40 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

21 ns

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

2.25V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

33 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

4500 пФ при 20 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

irf7842pbf , pdf , 237 КБ
Datasheet IRF7842TRPBF , pdf , 221 КБ

IRF7842TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 99 руб.

Техническая документация