IRF7853TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 8.3А [SO-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 90 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7853TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772809

Технические параметры

Вес, г

0.17

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

100

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

8.3

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.018 Ом/8.3А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

2.5

Крутизна характеристики, S

Корпус

soic-8

Техническая документация

Datasheet IRF7853 , pdf , 209 КБ
Datasheet IRF7853TRPBF , pdf , 210 КБ

IRF7853TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 8.3А [SO-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 90 руб.

Техническая документация