IRF8010PBF, Транзистор, N-канал 100В 80А [TO-220AB], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 103 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF8010PBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772817

Технические параметры

Вес, г

2.5

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

100

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.015 Ом/45А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

260

Корпус

TO-220AB

Пороговое напряжение на затворе

-2…4

Техническая документация

Datasheet IRF8010PBF , pdf , 141 КБ
Datasheet , pdf , 134 КБ

IRF8010PBF, Транзистор, N-канал 100В 80А [TO-220AB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 103 руб.

Техническая документация