IRF7854TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 10А [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7854TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772810

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

13,4 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.3V

Длина

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

15 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Типичное время задержки включения

9.4 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

4.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

27 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1620 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямая активная межэлектродная проводимость

12s

Техническая документация

IRF7854PBF Datasheet , pdf , 227 КБ
irf7854pbf , pdf , 228 КБ

IRF7854TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 10А [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация