IRF7842PBF, Транзистор, N-канал 40В 18А [SO-8]
![IRF7842PBF, Транзистор, N-канал 40В 18А [SO-8]](/file/p_img/1772807.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7842PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.005 Ом/17А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 81 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7832TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 20А [SOIC-8]
![IRF7832TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 20А [SOIC-8]](/file/p_img/1772806.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7832TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20…
IRF7832PBF, Транзистор, N-канал 30В 20А [SO-8]
![IRF7832PBF, Транзистор, N-канал 30В 20А [SO-8]](/file/p_img/1772805.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7832PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.004 Ом/20А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 7.7 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7831PBF, Транзистор, N-канал 30В 21А [SO-8]
![IRF7831PBF, Транзистор, N-канал 30В 21А [SO-8]](/file/p_img/1772804.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7831PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0036 Ом/20А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 97 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7821PBF, Транзистор, N-канал 30В 13.6А [SO-8]
![IRF7821PBF, Транзистор, N-канал 30В 13.6А [SO-8]](/file/p_img/1772803.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7821PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0091 Ом/13А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 22 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7820PBF, Nкан 200В 3.7А SO8
Производитель: International Rectifier, IRF7820PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.078 Ом/2.2А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7815PBF, Nкан 150В 5А SO8
Производитель: International Rectifier, IRF7815PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.1 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.043 Ом/3.1А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Корпус | soic-8 |
IRF7811AVTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 14А [SOIC-8]
![IRF7811AVTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 14А [SOIC-8]](/file/p_img/1772800.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7811AVTRPBF
IRF7811AVPBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8]
![IRF7811AVPBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8]](/file/p_img/1772799.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF7811AVPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10.8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.014 Ом/15А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Корпус | soic-8 |
