Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	13.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.009 Ом/15А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Корпус	soic-8

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.09 Ом/2.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.8
Крутизна характеристики, S	2.3
Корпус	Micro-8/MSOP-8

MOSFET: P, -30 В, Q1: P, 90mΩ / 10V, -3.6 А Корпус MICRO8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номи…

Сравнить

Структура	N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	2.7/2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.11 Ом/1.7А, 10В/0.2 Ом/1.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.25
Крутизна характеристики, S	1.9/0.92
Корпус	Micro-8/MSOP-8

Корпус MICRO8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

Сравнить

Структура	N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1.9/1.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.14 Ом/1.7А, 4.5В/0.27 Ом/1.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.25
Крутизна характеристики, S	2.6/1.3
Корпус	Micro-8/MSOP-8

IRF7507TRPBF - это полевой МОП-транзистор с двумя N / P-каналами, в котором используются передовые технологии обработки для достижения минимальн…

Сравнить

Структура	2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	2.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.135 Ом/1.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.25
Крутизна характеристики, S	1.9
Корпус	Micro-8/MSOP-8

• Технология поколения V • Сверхнизкое сопротивление при включении • Низкий профиль • Быстрое переключение

Сравнить

Структура	2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	2.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.135 Ом/1.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.5
Крутизна характеристики, S	2600
Корпус	Micro-8/MSOP-8

Корпус MICRO8, Конфигурация и полярность Dual N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корп…

Сравнить

N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.015 Ом/5.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	13
Корпус	soic-8

• Полностью описанная емкость, включая эффективные COSS для упрощения конструкции • Полностью охарактеризованные лавинное напряжение и ток…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	3.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.079 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	7.9
Корпус	soic-8

Сравнить

Сравнить