Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

IRF9Z34NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 55В, 19А [D2-PAK]
IRF9Z34NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 55В, 19А [D2-PAK]
Производитель: Infineon Technologies, IRF9Z34NSTRLPBF

IRF9Z34NSPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А, [D2-PAK]
IRF9Z34NSPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А, [D2-PAK]
Производитель: International Rectifier, IRF9Z34NSPBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 19
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.1 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 68
Крутизна характеристики, S 4.2
Корпус D2PAK(2 Leads+Tab)

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infi…

IRF9Z34NPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А [TO-220AB]
IRF9Z34NPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRF9Z34NPBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 19
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.1 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 68
Крутизна характеристики, S 4.2
Корпус TO-220AB

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infi…

IRF9Z34PBF, Транзистор, P-канал 60В 19А [TO-220AB]
IRF9Z34PBF, Транзистор, P-канал 60В 19А [TO-220AB]
Производитель: Vishay, IRF9Z34PBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 19
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.14 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 68
Крутизна характеристики, S 4.2
Корпус TO-220AB

МОП-транзистор с каналом P, от 30 до 80 В, Vishay Semiconductor

IRF9Z24PBF, Транзистор, P-канал 60В 11А [TO-220AB]
IRF9Z24PBF, Транзистор, P-канал 60В 11А [TO-220AB]
Производитель: Vishay, IRF9Z24PBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.28 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 60
Крутизна характеристики, S 1.4
Корпус TO-220AB

МОП-транзистор P-Chan 60V 11 Amp

IRF9Z14SPBF, Транзистор MOSFET P-CH 60В 6.7А [D2PAK]
IRF9Z14SPBF, Транзистор MOSFET P-CH 60В 6.7А [D2PAK]
Производитель: Vishay, IRF9Z14SPBF

IRF9956TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 3.5А [SOIC-8]
IRF9956TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 3.5А [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF9956TRPBF

MOSFET: N + N, 30 В, Q1: N, 100mΩ / 10V, Q2: N, 100mΩ / 10V Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 3…

IRF9952TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8]
IRF9952TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8]
Производитель: Infineon Technologies, IRF9952TRPBF
Структура N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5/2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.1 Ом/2.2А, 10В/0.25 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.3
Крутизна характеристики, S 02.04.2012
Корпус soic-8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3…

IRF9910TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 20D 10A/12A [SOIC-8_150mil]
IRF9910TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 20D 10A/12A [SOIC-8_150mil]
Производитель: Infineon Technologies, IRF9910TRPBF

МОП-транзистор MOSFT DUAL NCh 20V 10A

IRF9640SPBF, Транзистор, P-канал 200В 11А [D2-Pak]
IRF9640SPBF, Транзистор, P-канал 200В 11А [D2-Pak]
Производитель: Vishay, IRF9640SPBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.5 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Крутизна характеристики, S 4.1
Корпус D2PAK(2 Leads+1 Tab)

IRF9640SPBF - это силовой полевой МОП-транзистор третьего поколения с P-каналом и улучшенным режимом, в котором наилучшим образом сочетаются быс…