IRF9Z34NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 55В, 19А [D2-PAK]
![IRF9Z34NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 55В, 19А [D2-PAK]](/file/p_img/1772877.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF9Z34NSTRLPBF
IRF9Z34NSPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А, [D2-PAK]
![IRF9Z34NSPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А, [D2-PAK]](/file/p_img/1772876.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRF9Z34NSPBF
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/10А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 |
Крутизна характеристики, S | 4.2 |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) |
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infi…
IRF9Z34NPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А [TO-220AB]
![IRF9Z34NPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А [TO-220AB]](/file/p_img/1772875.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF9Z34NPBF
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/10А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 |
Крутизна характеристики, S | 4.2 |
Корпус | TO-220AB |
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infi…
IRF9Z34PBF, Транзистор, P-канал 60В 19А [TO-220AB]
![IRF9Z34PBF, Транзистор, P-канал 60В 19А [TO-220AB]](/file/p_img/1772874.jpg)
Производитель: Vishay, IRF9Z34PBF
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.14 Ом/11А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 |
Крутизна характеристики, S | 4.2 |
Корпус | TO-220AB |
МОП-транзистор с каналом P, от 30 до 80 В, Vishay Semiconductor
IRF9Z24PBF, Транзистор, P-канал 60В 11А [TO-220AB]
![IRF9Z24PBF, Транзистор, P-канал 60В 11А [TO-220AB]](/file/p_img/1772873.jpg)
Производитель: Vishay, IRF9Z24PBF
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.28 Ом/6.6А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
Крутизна характеристики, S | 1.4 |
Корпус | TO-220AB |
МОП-транзистор P-Chan 60V 11 Amp
IRF9956TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 3.5А [SOIC-8]
![IRF9956TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 3.5А [SOIC-8]](/file/p_img/1772871.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF9956TRPBF
MOSFET: N + N, 30 В, Q1: N, 100mΩ / 10V, Q2: N, 100mΩ / 10V Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 3…
IRF9952TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8]
![IRF9952TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8]](/file/p_img/1772870.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF9952TRPBF
Структура | N/P-каналы |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5/2.3 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/2.2А, 10В/0.25 Ом/1А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
Крутизна характеристики, S | 02.04.2012 |
Корпус | soic-8 |
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3…
IRF9910TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 20D 10A/12A [SOIC-8_150mil]
![IRF9910TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 20D 10A/12A [SOIC-8_150mil]](/file/p_img/1772869.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF9910TRPBF
МОП-транзистор MOSFT DUAL NCh 20V 10A
IRF9640SPBF, Транзистор, P-канал 200В 11А [D2-Pak]
![IRF9640SPBF, Транзистор, P-канал 200В 11А [D2-Pak]](/file/p_img/1772868.jpg)
Производитель: Vishay, IRF9640SPBF
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.5 Ом/6.6А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
Крутизна характеристики, S | 4.1 |
Корпус | D2PAK(2 Leads+1 Tab) |
IRF9640SPBF - это силовой полевой МОП-транзистор третьего поколения с P-каналом и улучшенным режимом, в котором наилучшим образом сочетаются быс…