IRF9956TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 3.5А [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 38 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET: N + N, 30 В, Q1: N, 100mΩ / 10V, Q2: N, 100mΩ / 10V
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF9956TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772871

Технические параметры

Вес, г

0.15

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

3.5A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

2 N Channel(Double)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

1V @ 250uA

Техническая документация

irf9956pbf , pdf , 172 КБ
Datasheet , pdf , 170 КБ

IRF9956TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 3.5А [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 38 руб.

Техническая документация