ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF9952TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF9952TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF9952TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8]
Последняя цена
39 руб.
Сравнить
Описание
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 80 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF9952TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772870
Технические параметры
Вес, г
0.15
Структура
N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
3.5/2.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.1 Ом/2.2А, 10В/0.25 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
1.3
Крутизна характеристики, S
02.04.2012
Корпус
soic-8
Пороговое напряжение на затворе
-1/1
Техническая документация
IRF9952 , pdf
, 226 КБ
Datasheet IRF9952TRPBF , pdf
, 225 КБ
Datasheet IRF9952TRPBF , pdf
, 225 КБ