Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.5 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	125
Крутизна характеристики, S	6
Корпус	TO-220AB

IRF9640PBF - это силовой МОП-транзистор с P-каналом на -200 В, силовой МОП-транзистор HEXFET® третьего поколения предоставляет разработчикам наи…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.8 Ом/3.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	75
Крутизна характеристики, S	2.2
Корпус	TO-220AB

IRF9630PBF - это одноканальный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с напряжением -200 В, HEXFET-транзистор третьего поколения пре…

Сравнить

MOSFET Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Channel Drain Source Voltage, Vds -200V Continuous Drain Current, Id -3.5A On Resistance, Rds(on…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	3 Ом/0.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	20
Крутизна характеристики, S	0.9
Корпус	TO-220AB

IRF9610PBF - это силовой МОП-транзистор с P-каналом на -200 В, в котором используется передовая технология HEXFET. Эффективная геометрия и уника…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	23
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.117 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	140
Крутизна характеристики, S	5.3
Корпус	D2PAK(2 Leads+1 Tab)

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon Infineon, предлагает линейку дискретных силовых полевы…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	23
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.117 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	140
Крутизна характеристики, S	5.3
Корпус	TO-220AB

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов In…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	19
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.2 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	150
Крутизна характеристики, S	6.2
Корпус	TO-220AB

МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 400 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.3 Ом/7.2a, 10В
Корпус	D2PAK(2 Leads+1 Tab)

IRF9530SPBF - это силовой полевой МОП-транзистор третьего поколения с P-каналом и улучшенным режимом, в котором наилучшим образом сочетаются быс…

Сравнить

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.2 Ом/8.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	3.8
Крутизна характеристики, S	3.2
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)

Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…

Сравнить