ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF9Z34NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 55В, 19А [D2-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF9Z34NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 55В, 19А [D2-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF9Z34NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 55В, 19А [D2-PAK]
Последняя цена
64 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF9Z34NSTRLPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772877
Технические параметры
Вес, г
2.5
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
19A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
68W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
100mО© @ 10A,10V
Transistor Polarity
P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
55V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Техническая документация
IRF9Z34NSPBF Datasheet , pdf
, 1103 КБ
irf9z34nspbf , pdf
, 1103 КБ
![IRF9Z34NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 55В, 19А [D2-PAK]](/file/p_img/1772877.jpg)