Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

IRFB4233PBF, Транзистор MOSFET N-CH 230В 56А [TO-220AB]
Производитель: International Rectifier, IRFB4233PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 230
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 56
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.037 Ом/28А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 370
Крутизна характеристики, S 83
Корпус TO-220AB

IRFB4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 46А [TO-220AB]
IRFB4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 46А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRFB4229PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 46
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.046 Ом/26А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 330
Крутизна характеристики, S 83
Корпус TO-220AB

MOSFET, N, 250V, TO-220AB Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 250V Current, Id Cont 46A Resistance, Rds On 0.046ohm Voltag…

IRFB4228PBF, Nкан 150В 83А TO220AB
IRFB4228PBF, Nкан 150В 83А TO220AB
Производитель: International Rectifier, IRFB4228PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 83
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.015 Ом/33А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 330
Крутизна характеристики, S 170
Корпус TO-220AB

• Передовые технологические процессы • Низкий рейтинг EPULSE для уменьшения рассеиваемой мощности • Низкий Qg для быстрого отклика

IRFB4212PBF, Nкан 100В 18A TO220AB
IRFB4212PBF, Nкан 100В 18A TO220AB
Производитель: International Rectifier, IRFB4212PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0725 Ом/13А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 60
Крутизна характеристики, S 11
Корпус TO-220AB

IRFB41N15DPBF, Транзистор MOSFET N-канал 150В 41А [TO-220АB]
IRFB41N15DPBF, Транзистор MOSFET N-канал 150В 41А [TO-220АB]
Производитель: Infineon Technologies, IRFB41N15DPBF

IRFB4137PBF, Транзистор, N-канал 300В 40А [TO-220AB]
IRFB4137PBF, Транзистор, N-канал 300В 40А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRFB4137PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 38
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.069 Ом/24А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 341
Крутизна характеристики, S 45
Корпус TO-220AB

MOSFET для управления двигателем и синхронного выпрямителя переменного тока в постоянный, Infineon

IRFB4127PBF, Транзистор MOSFET N-канал 200В 76А [TO-220АB]
IRFB4127PBF, Транзистор MOSFET N-канал 200В 76А [TO-220АB]
Производитель: Infineon Technologies, IRFB4127PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 76
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.02 Ом/44А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 375
Крутизна характеристики, S 79
Корпус TO-220AB

MOSFET, N-CH, 200V, TO-220AB; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 200V; Current, Id Cont: 76A; Resistance, Rds On: 17…

IRFB4115PBF, Транзистор, N-канал 150В 104А [TO-220AB]
IRFB4115PBF, Транзистор, N-канал 150В 104А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRFB4115PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 104
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.011 Ом/62А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 380
Крутизна характеристики, S 97
Корпус TO-220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

IRFB4110PBF, Транзистор, N-канал 100В 120А [TO-220AB]
IRFB4110PBF, Транзистор, N-канал 100В 120А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRFB4110PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0045 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 370
Крутизна характеристики, S 160
Корпус TO-220AB

MOSFET, N, 100V, TO-220AB Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 180A Resistance, Rds On 0.0045ohm Volt…

IRFB4020PBF, Транзистор, Digital Audio MOSFET, N-канал, 200В, 18А [TO-220AB]
IRFB4020PBF, Транзистор, Digital Audio MOSFET, N-канал, 200В, 18А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRFB4020PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.1 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 100
Крутизна характеристики, S 24
Корпус TO-220AB

MOSFET, N, 200V, TO-220AB Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 18A Resistance, Rds On 0.1ohm Voltage,…