Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	210
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0033 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	370
Корпус	TO-220AB

MOSFET, N, 75V, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 75V Current, Id Cont 210A Resistance, Rds On 3.3ohm Voltage, Vg…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	195
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0025 Ом/170А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	375
Крутизна характеристики, S	280
Корпус	TO-220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	195
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.00175 Ом/195А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	380
Крутизна характеристики, S	1170
Корпус	TO-220AB

Сравнить

• Полностью охарактеризованная емкость, включая эффективные COSS для упрощения конструкции • Полностью охарактеризованные лавинное напряжен…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.25 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	280
Крутизна характеристики, S	11
Корпус	TO-220AB

IRFB20N50KPBF - это N-канальный полевой МОП-транзистор с улучшенным режимом работы и низким зарядом затвора. • Повышенная стойкость к…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.25 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	280
Крутизна характеристики, S	11
Корпус	TO-220AB

MOSFET, N, 500V, 20A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 500V Current, Id Cont 20A Resistance, Rds On 0.25ohm Volt…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.29 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	220
Крутизна характеристики, S	6.4
Корпус	TO-220AB

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.32 Ом/9.9a, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	220
Корпус	TO-220AB

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.17 Ом/9.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	140
Крутизна характеристики, S	5.3
Корпус	TO-220AB

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.52 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	170
Крутизна характеристики, S	6.1
Корпус	TO-220AB

N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor

Сравнить