IRF9910TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 20D 10A/12A [SOIC-8_150mil], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор MOSFT DUAL NCh 20V 10A

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF9910TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772869

Технические параметры

Вес, г

0.15

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

12 А

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Length

5мм

Brand

Infineon

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

±20 В

Прямое напряжение диода

Серия

IRF9910

Тип корпуса

Maximum Gate Threshold Voltage

2.55V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.65V

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 4,5 В

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

2 Вт

Maximum Drain Source Resistance

18,3 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

20 В

Channel Type

Техническая документация

irf9910pbf-1732680 , pdf , 295 КБ
Datasheet IRF9910TRPBF , pdf , 295 КБ
Datasheet IRF9910TRPBF , pdf , 294 КБ

IRF9910TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 20D 10A/12A [SOIC-8_150mil] - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация