ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF9Z34NSPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А, [D2-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
IRF9Z34NSPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А, [D2-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF9Z34NSPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А, [D2-PAK]
Последняя цена
39 руб.
Сравнить
Описание
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
International Rectifier
Артикул
IRF9Z34NSPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772876
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
19
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.1 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
68
Крутизна характеристики, S
4.2
Корпус
D2PAK(2 Leads+Tab)
Техническая документация
IRF9Z34NSPBF Datasheet , pdf
, 1103 КБ