Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.2 Ом/8.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	79
Крутизна характеристики, S	3.2
Корпус	TO-220AB

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов In…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.3 Ом/7.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	75
Крутизна характеристики, S	3.8
Корпус	TO-220AB

МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 400 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.6 Ом/4.1a, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	60
Крутизна характеристики, S	2
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)

IRF9520SPBF - это силовой полевой МОП-транзистор третьего поколения с P-каналом и расширенным режимом, в котором наилучшим образом сочетаются бы…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.6 Ом/4.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	40
Крутизна характеристики, S	2
Корпус	TO-220AB

МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 400 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	1.2 Ом/2.4a, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	43
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	1.2 Ом/2.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	20
Крутизна характеристики, S	1
Корпус	TO-220AB

IRF9510PBF - это силовой полевой МОП-транзистор третьего поколения с P-каналом и улучшенным режимом, в котором наилучшим образом сочетаются быст…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.03 Ом/7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	14
Корпус	soic-8

Сравнить

Структура	N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6.8/4.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.027 Ом/6.8А, 10В/0.064 Ом/4.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	8.2/4.1
Корпус	soic-8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6…

Сравнить

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…

Сравнить

Структура	2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.021 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	12
Корпус	soic-8

Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза б…

Сравнить