EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

IRFB4019PBF, Транзистор, Digital Audio MOSFET, N-канал, 150В, 17А [TO-220AB]
IRFB4019PBF, Транзистор, Digital Audio MOSFET, N-канал, 150В, 17А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRFB4019PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.095 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 80
Крутизна характеристики, S 14
Корпус TO-220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

IRFB38N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 44А [TO-220AB]
IRFB38N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 44А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRFB38N20DPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 44
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.054 Ом/26А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 320
Крутизна характеристики, S 17
Корпус TO-220AB

IRFB38N20DPBF - это одноканальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с N-каналом, который обеспечивает полностью определенную емкость, включ…

IRFB3806PBF, Транзистор, N-канал 60В 43А [TO-220AB]
IRFB3806PBF, Транзистор, N-канал 60В 43А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRFB3806PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 43
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0158 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 71
Крутизна характеристики, S 41
Корпус TO-220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

IRFB3607PBF, Транзистор, N-канал 75В 80А [TO-220AB]
IRFB3607PBF, Транзистор, N-канал 75В 80А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRFB3607PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.009 Ом/46А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 140
Крутизна характеристики, S 17
Корпус TO-220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

IRFB3307ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 120А [TO-220AB]
IRFB3307ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 120А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRFB3307ZPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0058 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 230
Крутизна характеристики, S 320
Корпус TO-220AB

IRFB3307ZPBF - это одноканальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с N-каналом, обеспечивающий повышенную стойкость к затвору, лавинной и д…

IRFB3306PBF, Транзистор N-канал 60В 160А [TO-220AB]
IRFB3306PBF, Транзистор N-канал 60В 160А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRFB3306PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 160
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0042 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 230
Крутизна характеристики, S 23
Корпус TO-220AB

MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 60V; Current, Id Cont: 160A; Resistance, Rds On: 0.0042…

IRFB3256PBF, Nкан 60В 210А TO220AB
IRFB3256PBF, Nкан 60В 210А TO220AB
Производитель: International Rectifier, IRFB3256PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 206
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0034 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 300
Крутизна характеристики, S 88
Корпус TO-220AB

N-канал 60V 75A (Tc) 300W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

IRFB3207ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 170A [TO-220AB]
IRFB3207ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 170A [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRFB3207ZPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 170
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0041 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 300
Крутизна характеристики, S 280
Корпус TO-220AB

MOSFET для управления двигателем и синхронного выпрямителя переменного тока в постоянный, Infineon

IRFB3206PBF, Транзистор HEXFET N-канал 60В 120А [TO-220AB]
IRFB3206PBF, Транзистор HEXFET N-канал 60В 120А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRFB3206PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 210
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.003 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 300
Крутизна характеристики, S 210
Корпус TO-220AB

MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 60V; Current, Id Cont: 210A; Resistance, Rds On: 0.003o…

IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]
IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]
Производитель: International Rectifier, IRFB31N20DPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 31
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.082 Ом/18А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 1.7
Корпус TO-220AB

MOSFET, N, 200V, 31A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 31A Resistance, Rds On 0.082ohm Vol…